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  • EpiPro™ 5000 外延生长炉
CSD Epitaxy公司设计的EpiPro™ 5000双腔式外延沉积反应炉以更紧凑的设备结构,满足了本行业处理更大晶圆的需求,同时降低了外延加工工艺的成本。EpiPro 5000 的设计提高了批处理能力,
降低了薄、中、厚膜外延工艺的滑移线。
更大的批量,更高的晶圆产量,紧凑的占地面积/正面布局(无需侧面存取),减少了耗材的使用,极大地提高了系统生产能力,减低了使用成本。

工艺灵活性高
• 硅片直径从100毫米到200毫米
• 宽外延膜厚从< 5μm 到>100μm
• 外延层电阻率从0.02Ωcm 到50Ωcm
• 高产量的双腔系统
• 低使用成本
• 独特的掺杂进气系统使掺杂转变清晰显著
• 晶圆*直径:35 x 100mm, 24 x125mm, 18 x 150mm, 8 x 200mm

重要的工艺优势
EpiPro 5000采用了数个外延系统的创新设计,改善了过程控制,降低了滑移线。其中包括可变的基座高度(专利);一个中频电源;一个碗状的基座,利于温度均匀性,以及一个石英封装线圈和现场测温装置,以提供改进的温度和工艺重复性。独特的3个掺杂进气口设计,可获得更好的面内掺杂分布。

提高洁净度的创新
Epipro 5000包含了许多对颗粒物控制的重大改进。不锈钢的桌面罩、侧壁,兜罩和门,确保干净清洁。还有其他一些有助于洁净度改进,包括一个微步旋转组件,双速钟罩升降组件和冷却空气管道环绕钟罩设计.


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