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  • 24-26-2800 mini series
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标准半导体工艺
·LPCVD氮化硅(标准型)
·LPCVD氮化硅(低应力型)
·LPCVD斜坡温度多晶硅
·LPCVD一致晶粒多晶硅
·LPCVD氧化层TEOS(正硅酸乙脂)
·LPCVD VLTO(低温氧化)
·LPCVD BPSG(硼磷硅玻璃)
· 高温氧化
· 干法氧化
· 湿法氧化
· 掺杂扩散 3-4路液相掺杂管路 ( POCL3 or BBR3)
· 5-6TCAHcl气路
· 混合气体退火
· 高温热回火
· 低温退火和合金化
· 高温驱入(Drive in

标准LED工艺
·高真空退火(环境可控)
·低温合金化/退火

标准PV(太阳能)工艺
·湿氧/干氧
·PN结驱入
·Forming气体退火
·氢气退火
·低温热处理
·POCl3BBr3 PN结和槽
·反射氮化膜(ARC Nitride coating

标准MEMS(微机电)工艺
·低应力CVD氮化物
·氧氮化物SIPOS
·厚氧
·TEOS,良好的台阶覆盖能力
·多晶硅和掺杂多晶硅